漏感尖峰
由于实际变压器都存在漏感,变频器开关电源,在MOS管关断后,存在漏感中的能量不能传送到次级,因此必然会寻找一个放电通道,初级的RCD吸收就是为此而设。如果没有吸收,从理论上来说,会在MOS的D级对地形成一个无限高的尖峰(当然,实际电路都会存在分布的电容,这个尖峰不会有无限高),因此足够的吸收是相当重要的。一般来说,增大吸收电容,减小吸收电阻,都会有效果,但还要综合考效率,吸收电阻的体积等问题,有时侯,单从吸收电路下手并不能满足MOS电应力的要求。
四、除了更改吸收电路外,还有其它的几种方案可供参考:
1.RCD吸收中的D(二极管),使用所谓的慢管(即慢恢复二极管),可以从一定程度上降低感应出来的尖峰。更换D后,要重新测量D的温升。
2.由于电应力**标一般都发生在异常状态下,此时的占空比一般是处于失控状态,所以此时的初级峰值电流也是比较大的。峰值电流的增大则意味着漏感中存贮的能量增大,MOS关断时,尖峰自然也会变大。因此控制峰值电流对抑制尖峰作用是比较明显的。控制峰值电流的措施一般有:a.控制异常状态时的较占容比,这对于某些芯片是可行的(如TL3842等);b.增大初级sense电阻(初级取样电阻)值,对于电流控制型的芯片,这个方法是有效的。其机理在于芯片是感知SENSE电阻上的电压来关断MOS的,电阻变大则能较早关断MOS,30w 开关电源,防止电流冲地过高。但要兼顾输出功率要求。c.增大初级电感量,机理和b类似;d.降低MOS的关断速度,这一般可以从MOS 驱动电路上下手,但同时也应注意MOS的发热量。另外,在初级增加电压初偿也是一个办法,即从初级滤波电容上引电阻到芯片的电流检测(Isense)脚,一定上程度也可以对降低MOS尖峰有效。
上述各种方案措施的实施后,一定要对开关电源的其它指标进行确认,苏州开关电源,以避免较端优化一个参数,而引起其它参数恶化的现象。
一、什么是涌浪电流(Inrush Current)
较常规的定义浪涌电流指开关电源接通瞬间,流入开关电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电,所以该峰值电流远远大于稳态输入电流。电源应该限制AC开关、整流桥、保险丝、EMI滤波器件能承受的浪涌水平。反复开关环路,AC输入电压不应损坏电源或者导致保险丝烧断。浪涌电流是指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。当某些大容量的电气设备接通或断开时,由于电网中存在电感,将在电网产生“浪涌电压”,从而引发浪涌电流。 一般不管设备容量大小,都会存在浪涌电压,问题是小容量的设备产生的浪涌电压较小,不会产生多大的危害,因此常常被人们所忽略。 在脱线变换器启动期间,因对大容量电容器充电会产生一个大电流。这个大电流比系统正常电流大几倍乃至几十倍(即所谓浪涌电流),而这可能使AC线路的电压降落,从而影响连接在同一AC线路上的所有设备的运行,有时会烧断保险丝和整流二极管等元件。因此,必须对其加以限制。